장지원 교수 연구팀(Exploratory Device Research Lab)은 차세대 반도체 물질로 주목받는 전이금속 칼코게나이드(TMDC) 계열의 n-형 반도체 WS2를 수직 채널로 구현하여 Vertical Sidewall FETs를 제작하고, 세계 최초로 다중 수직 채널을 갖춘 Vertical Multi-Channel Nanosheet FETs를 구현하였다. 듀얼 스텝 식각 공정을 이용한 SiO2 Sidewall 프로파일과 고유전율 절연막을 적용함으로써 수직 채널 구조에서 우수한 Subthreshold Swing과 억제된 Short Channel Effects를 확보하였으며, 채널 길이 150 nm까지도 높은 ION/IOFF 특성을 유지하였다. 해당 연구 결과는 “Large-Scale Implementation of Vertical Sidewall and Vertical Multi-Channel WS₂ Nanosheet Field-Effect Transistors for Area-Efficient Integrated Circuit”라는 제목으로 재료·소자 분야의 저명 학술지인 Small (IF=13.0, JCR Top 7.0%)에 게재 승인되었다. 본 연구는 장지원 교수(교신저자)의 지도 아래 마지원 학생(제1저자)이 주도하였다