장지원 교수 연구팀(Exploratory Device Research Lab)은 대면적으로 합성된 2차원 물질 MoS2/WSe2 를 수직 적층한 Complementary FETs에 전기적으로 크기를 조절할 수 있는 MoS2 저항을 활용하여 Binary 및 Ternary Mode 전환이 가능한 CMOS Inverter 및 Logic Gate를 실험적으로 구현하였다. 해당 결과는 “Electrically Binary and Ternary Convertible CMOS Inverter and Logic Gate Using Complementary Field-Effect Transistors Based on Vertically Stacked MoS2/WSe2 n-/p- Field-Effect Transistors ” 이란 제목으로 재료/소자 분야 최우수 학술지인 Advanced Functional Materials (IF=19.0, JCR Top 4.9%)에 게재 승인을 받았다. 본 연구는 장지원 교수(교신 저자)가 지도하고 1저자인 이창욱 학생이 주도하였다.