장지원 교수 연구팀(Exploratory Device Research Lab)은 반금속성의 2차원 물질을 활용하여 2차원 물질 기반 MOSFET의 높은 컨택 저항 문제를 극복할 수 있는 방안을 제시하였으며, 이를 2차원 물질 기반 MOSFET 수직 적층에 적용하여 Inverter 구현에 필요한 Layout을 50% 줄일 수 있는 3차원 집적 기술로 활용 가능성을 확인하였다. 해당 결과는 “Improvement of Contact Resistance and Three-Dimensional Integration of Two-Dimensional Material Field-Effect Transistors Using Semi-metallic PtSe2 Contacts” 라는 제목으로 재료/소자 분야 최우수 학술지인 Advanced Functional Materials(IF=18.5, JCR Top 4.7%)에 게재 승인을 받았다. 본 연구는 장지원 교수(교신저자)가 지도하고 제 1저자인 서재은 학생이 주도하였다.