장지원 교수 연구팀(Exploratory Device Research Lab)은 대면적 CVD WS2 기반 수직 적층형 NMOS 인버터를 구현하고, WS2 채널 층수와 소스/드레인 접촉 금속의 동시 최적화를 통해 기존에 보고된 수직 적층형 NMOS 인버터 및 CFET 대비 Record High Gain을 달성하였다. 이는 대면적 2차원 반도체 기반 3차원 집적 회로의 구현 가능성을 제시한 결과이다. 해당 결과는 “Ultra-High Gain Vertically Stacked WS2 NMOS Inverter Enabled by Co-Optimization of Layer Number and Contact Metal”이라는 제목으로 재료/소자 분야 최우수 학술지인 ACS Nano (IF=17.3, JCR Top 7.1%)에 게재 승인을 받았다. 본 연구는 장지원 교수(교신 저자)가 지도하고 마지원 학생이 주도하였다.