석지수 학생 (장지원 교수 연구팀) ACS Nano 논문 게재
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작성자 최고관리자 댓글 조회 작성일 24-12-17 09:07본문
장지원 교수 연구팀(Exploratory Device Research Lab)은 대면적으로 합성된 2차원 물질 MoS2를 활용한 DRAM의 누설 전류가 매우 낮은 수준 (~10-18 A/µm) 임을 실험적으로 측정하였으며, 이는 MoS2 내부의 trap에 의한 Trap-Assisted Tunneling에 의한 전류임을 이론적으로 확인하였다. 해당 결과는 “Attoampere Level Leakage Current in Chemical Vapor Deposition-Grown Monolayer MoS2 Dynamic Random-Access Memory in Trap-Assisted Tunneling Limit” 이란 제목으로 재료/소자 분야 최우수 학술지인 ACS Nano (IF=15.8, JCR Top 5.9%)에 게재 승인을 받았다. 본 연구는 장지원 교수(교신 저자)가 지도하고 1저자인 석지수 학생이 주도하였다.
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