장지원 교수 연구팀(Exploratory Device Research Lab)은 대면적으로 합성된 2차원 물질 WS2를 활용한 FET의 성능을 획기적으로 향상시킬 수 있는 도핑 기법을 개발하였으며, 이를 활용하여 2차원 물질 기반 nMOS Inverter에서 지금까지 보고된 바 없는 Record High Gain을 달성하여 차세대 저전력 고성능 소자로서 활용 가능성을 확인하였다. 해당 결과는 “Realization of Extremely High-Gain and Low-Power in nMOS Inverter Based on Monolayer WS2 Transistor Operating in Subthreshold Regime” 이란 제목으로 재료/소자 분야 최우수 학술지인 ACS Nano (IF=15.8, JCR Top 5.9%)에 게재 승인을 받았다. 본 연구는 장지원 교수(교신 저자)가 지도하고 공동 1저자인 양은영, 홍석원, 마지원 학생이 주도하였다.